The Shift
從「對位裝置」到「風險管理平台」
傳統 Pre-Aligner 的核心目標僅為「讓晶圓正確進入下一製程設備」，專注於 Notch 與 Centering。MPA-300/200 則整合對位與檢測，提供主動式風險監控，確保進入高價值製程前的晶圓健康。
因應 AI 先進封裝需求，晶圓厚度從 775µm 降至 50µm——剛性劇降、脆性增加、翹曲風險升高。多製程間頻繁搬送使破片機率呈指數上升，MPA-300/200 以單站整合大幅降低搬送次數與良率損失。
傳統 Pre-Aligner 的核心目標僅為「讓晶圓正確進入下一製程設備」，專注於 Notch 與 Centering。MPA-300/200 則整合對位與檢測，提供主動式風險監控，確保進入高價值製程前的晶圓健康。
因應 AI 先進封裝需求，晶圓厚度從 775µm 降至 50µm——剛性劇降、脆性增加、翹曲風險升高。多製程間頻繁搬送使破片機率呈指數上升，MPA-300/200 以單站整合大幅降低搬送次數與良率損失。
單站整合 Pre-Alignment、Edge Inspection、OCR、Notch Detection 與 Warp Analysis，大幅精簡產線空間與搬送流程。
同步掃描晶圓上邊緣 3mm 與下邊緣 3mm 表面，精準識別 ≥100µm 的 Chipping 與 Crack，邊緣品質零死角。
專為 Thin Glass 與 Thin Silicon Wafer 設計，預先防範問題晶圓與站點，提供傳送過程中最佳防護。
| 檢測裝置 | 5 Mega Up & Down Area Scan CCD with lighting |
|---|---|
| 中心偏移精度 | ±100 µm（Center Accuracy） |
| 定位口角度精度 | ±0.2°（Notch Positioning Accuracy） |
| 輸出資訊 | dx, dy, dθ |
| 檢測裝置 | 5 Mega Up & Down Area Scan CCD with lighting |
|---|---|
| 檢測精度 | 20 µm resolution |
| OCR/BCR 讀取 | Semi Standard OCR/BCR（Option 1） |
| 邊緣偵測 | Chipping／Crack ≥100 µm |
| 檢測裝置 | Line Laser（Option 2） |
|---|---|
| 裝置規格 | Resolution 80 µm / FoV 165 mm |
| 檢測範圍 | Full area cover 8–12 inch wafer |
| 輸出資料 | polar profile、point cloud、warpage map、Bow／Warp、site-level height／flatness |
| 通訊介面 | 標準通訊串接 TCP/IP、I/O |
|---|---|
| 搬運設計 | 便利搬運把手（Easy-to-carry handles） |
| 固定方式 | 四角 M6 鎖固孔位 ×4 |
| 適用晶圓 | 8–12 吋矽晶圓；支援薄化矽晶圓、玻璃晶圓 |
| 功能項目 | 傳統 Pre-Aligner → SCi MPA-300 |
|---|---|
| Notch 定位 / OCR | ✓ / 部分支援 → ✓✓ 完整支援 |
| Edge / Crack / Chipping 檢測 | ✕ → ✓ |
| Warp 翹曲分析 | ✕ → ✓ |
| Thin / Glass Wafer 支援 | 部分支援 → 全面支援 |
| 晶圓健康監控與風險管理 | ✕ → ✓ |
| 一站式整合平台 | ✕ → 整合 6 大功能 |
資料來源：SCi 內部測試與市場競品分析報告
下載 MPA-300/200 產品型錄，了解完整技術細節。